GT Advanced Technologies Partners ON полупроводник для производства и поставки карбида кремния

GT Advanced Technologies (GTAT) и ON Semiconductor объявили 17 марта о заключении пятилетнего соглашения, согласно которому GTAT будет производить и поставлять материал карбида кремния CrysX ™ (SiC) для ON Semiconductor. Стоимость соглашения оценивается в 50 миллионов долларов США. Грег Найт, президент и главный исполнительный директор GTAT, сказал: «Наше соглашение сегодня помогает решать очень крутой путь SiC как предпочтительного материала полупроводниковой подложки для приложений силовой электроники».

Используя большое производство пластин ON Semiconductor и опыт GTAT в области выращивания кристаллов SiC, обе компании стремятся создать масштабируемую цепочку поставок для динамичного рынка широкополосных каналов с высокой мощностью, отметил Брент Уилсон, старший вице-президент по глобальной цепочке поставок в ON Semiconductor.

Для быстрорастущих приложений, таких как системы тяги для электромобилей (EV), гибридные и подключаемые электромобили, хранение солнечной энергии и энергии, а также зарядка электромобилей, все они требуют надежной поставки высококачественного и конкурентоспособного по стоимости SiC-материала. ON Semiconductor будет использовать запатентованный 150-миллиметровый кристалл SiC GTAT для изготовления своих SiC-пластин, чтобы еще больше ускорить его роль в качестве вертикально интегрированного поставщика в цепочке поставок SiC и поддерживать поставки мирового класса. Соглашение будет способствовать доступности лидирующего в отрасли SiC, чтобы помочь инженерам решать самые уникальные задачи проектирования.